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MOSFET场效应管G006N04
IRL40SC228 40V 557A 0.65mΩ 40SC228 HYG006N04LS G006N04 拆机
MOSFET场效应管G006N04B6
HYG006N04LS1B6 G006N04B6 现货库存 TO-263 40V 530A 可直拍
HYG006N04LS1TA N沟道MOS场效应管40V600A
HYG006N04LS1B6 40V 530A 0.55mOmega G006N04 拆机
全新原装 HYG006N04LS1TA 封装TOLL N沟道40V600A 场效应管芯片
爆款HYG006N04LS1TA封装TOLL40V600A0.48mΩ430W
HYG006N04LS1B6 40V 530A 0.55m G006N04 代 IRL40SC228
HYG006N04LS1TA -[原装(MOSFET)TOLL
场效应管HYG006N04LS1TAMOS管
场效应管G006N04B6MOS管
原装 HYG006N04LS1B6 TO-263-6 40V 530A 0.61mΩ 场效应MOS管
HYG006N04LS1B6 G006N04B6 40V530A0.55mΩ G006N04 代IRL40SC228
原装正品 HYG006N04LS1TA TOLL 40V 600A 0.48mΩ 430W 场效应管
HYG006N04LS1TA全新原装G006N04 N沟道 40V 600A场效应管封装TOLL
直拍G006N04 HYG006N04LS1TA 库存现货 TOLL N沟道40V600A 优先发
原装全新 HYG006N04LS1B6 HYG013N04NA1B6 TO-263-6 MOS管
HYG006N04LS1TA TOLL N 40V 600A 场效应管晶体管
HYG006N04LS1TA TOLL N 40V 600A 场效应管
HYG006N04LS1B6 TO-263-6 N 40V 530A 场效应管
HYG006N04LS1TA G006N04 库存现货 TOLL N沟道40V600A 现货直拍
HYG006N04LS1TA TOLL N/40V/600A/0.45MR 场效应管
原装HYG006N04LS1B6MOS管
HYG006N04LS1TA HUAYI(华羿微) TOLL 场效应管 现货
原装HYG006N04LS1TAMOS管
HYG006N04LS1B6 TO-263-6 N 40V 530A 场效应管晶体管
HYG006N04LS1B6 HUAYI(华羿微) TO-263-6 场效应管 现货
原装大芯片 HYG006N04LS1TA G006N04 TOLL贴片 40V600A 场效应管
HYG006N04LS1TA TOLL 全新原装华羿微场效应管N/40V/600A/0.45MR
HYG006N04LS1TA N沟道 40V 600A 场效应管 TOLL 全新原厂华羿微
华羿微 HYG006N04LS1TA TOLL 40V 600A 0.48mΩ 430W 场效应MOS管
HYG006N04LS1TA TOLL 场效应管(MOSFET) 现货 可直拍
HYG006N04LS1B6 HYG006N04LS1B6 全新进口 只做原装 可开税票
HYG006N04LS1B6 TO-263-6 场效应管(MOSFET) 现货 可直拍
HYG006N04LS1TA HYG006N04LS1TA 全新进口 只做原装 可开税票
TO-263-640V530A库存现货可直拍
场效应管MOS HYG006N04LS1B6 TO-263-6 HUAYI(华羿微) 原装
HUAYI(华羿微) HYG006N04LS1B6 TO-263-6 场效应管
HYG006N04LS1B6 TO-263-6 场效应管(MOSFET) N沟道 40V 530A
HYG006N04LS1TA TOLL 场效应管(MOSFET) N沟道 40V 600A
HYG006N04LS1B6 TO-263-6 场效应管 HUAYI(华羿微)
原装正品 HYG006N04LS1TA 封装TOLL 1个N沟道场效应管(MOSFET)
HYG009N04LS1C2/HYG006N04LS1TA/HYG007N03LS1C2
HY8290P/HYG006N04LS1TA/HYG009N04LS1C2
HYG006N04LS1TA HYG007N03LS1C2 HYG009N04LS1C2
HY8290P/HYG009N04LS1C2/HYG006N04LS1TA
HY8290P HYG009N04LS1C2 HYG006N04LS1TA
HYG006N04LS1B6 场效应管(MOSFET) HYG006N04LS1B6 TO-263-6
HYG006N04LS1TA 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:40V 电流:600A
HYG006N04LS1TA 场效应管(MOSFET) N沟道增强型MOSFET,电流:600A,
原装原字 HYG006N04LS1B6 40V530A0.55mΩ G006N04 MOS场效应管
全新原装HYG006N04LS1TA芯片